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黄静 (黄静.) | 郭霞 (郭霞.) (学者:郭霞) | 渠红伟 (渠红伟.) | 廉鹏 (廉鹏.) | 朱文军 (朱文军.) | 邹德恕 (邹德恕.) | 沈光地 (沈光地.)

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摘要:

根据制备垂直腔面发射激光器(VCSEL)电流限制层的需要,通过实验方法研究了氧化温度、Al组分和晶向等条件对AlGaAs氧化速率的影响,得到适用于VCSEL的材料参数和氧化条件;对氧化后表面分层、欧姆接触特性变差等现象进行分析,得到解决或改善方案.比较AlAs和Al0.98Ga0.02As氧化特性及氧化后的热稳定性,结果表明Al0.98Ga0.02As较AlAs更适于作VCSEL电流限制层.将优化的氧化条件及材料参数应用于VCSEL制备,得到室温连续工作的VCSEL器件,其阈值电流为0.8 mA,激射波长为980 nm,工作电流为15 mA时输出功率可达3.2 mW.

关键词:

AlGaAs VCSEL 氧化

作者机构:

  • [ 1 ] [黄静]北京工业大学
  • [ 2 ] [郭霞]北京工业大学
  • [ 3 ] [渠红伟]北京工业大学
  • [ 4 ] [廉鹏]北京工业大学
  • [ 5 ] [朱文军]北京工业大学
  • [ 6 ] [邹德恕]北京工业大学
  • [ 7 ] [沈光地]北京工业大学

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来源 :

半导体光电

ISSN: 1001-5868

年份: 2003

期: 5

卷: 24

页码: 341-343,349

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