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利用金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)一次外延生长了含有2个有源区的隧道带间级联双波长可见光半导体激光器(LD)材料.其隧道结为GaAs.2个有源区分别为AlGaAs单量子阱和GaInP多量子阱.SEM照片表明,材料生长质量良好.用生长的材料制备了双沟深腐蚀结构F-P腔激光器.器件的阈值电流为177 mA,未镀膜时的单面斜率效率为1.3 W/A,远场为单瓣,垂直和水平方向的发散角分别为8°和34°.在输出光功率为100 mW时,2个激射波长分别为699 nm和795 nm,与PL测试结果相一致.
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