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作者：

Ding, Y (Ding, Y.) | Liu, GH (Liu, GH.) | Chen, GH (Chen, GH.) | He, DY (He, DY.) (学者：贺定勇) | Zhu, XH (Zhu, XH.) | Zhang, WL (Zhang, WL.) | He, B (He, B.) | Zhang, XK (Zhang, XK.) | Tian, L (Tian, L.) | Ma, ZJ (Ma, ZJ.)

收录：

EI Scopus SCIE CSCD

摘要：

The　method　of　numerical　simulation　is　used　to　fit　the　relationship　between　the　photoconductivity　in　films　and　the　illumination　time.　The　generation　and　process　rule　of　kinds　of　different　charged　defect　states　during　illumination　are　revealed.　It　is　found　surprisingly　that　the　initial　photoconductivity　determines　directly　the　total　account　of　photoconductivity　degradation　of　sample.

关键词：

charged defects hydrogenated amorphous silicon microwave electron cyclotron resonant chemical vapour deposition Staebler-Wronski effect

作者机构：

  • [ 1 ] Lanzhou Univ, Sch Phys Sci & Technol, Lanzhou 730000, Peoples R China
  • [ 2 ] Beijing Univ Technol, Minist Educ China, Key Lab Adv Funct Mat, Beijing 100022, Peoples R China

通讯作者信息：

  • [Ding, Y]Lanzhou Univ, Sch Phys Sci & Technol, Lanzhou 730000, Peoples R China

电子邮件地址：


ghchen@bjut.edu.cn
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来源 ：

CHINESE PHYSICS

ISSN： 1009-1963

年份： 2006

期： 4

卷： 15

页码： 813-817

JCR分区：2

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