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[期刊论文]
980 nm InGaAs/GaAs/AlGaAs大功率LDs模式特性研究
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针对目前大功率980 nm量子阱半导体激光器(LDs)为降低阈值电流而要求激射条宽窄、腐蚀深度深而造成的P-I曲线扭折、侧向模式不稳定问题采用有效折射率近似方法进行模拟分析,并得到了实验上的证实.通过采用不对称波导及双量子阱结构,制备了低阈值(19 mA)模式稳定的InGaAs/GaAs/AlGaAs LDs,其斜率效率0.6 W/A(8 μm×500 μm,未镀膜器件),在输出功率达到100 mW时保持横模、侧模的稳定.
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来源 ：
光电子·激光
ISSN： 1005-0086
年份： 2003
期： 10
卷： 14
页码： 1011-1014
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