AlxGa1-xAs选择性湿法氧化技术的研究 - 文章详情页

作者：

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CQVIP PKU CSCD

摘要：

详细研究了温度和Al组分与AlxGa1-xAs横向氧化速率的关系,通过分析氧化机制和实验得到的氧化宽度与时间的线性关系,指出在较短时间内的氧化为受AlxGa1-xAs材料与水汽反应速率限制的过程.运用优化的氧化条件,成功制备了氧化孔径为8　μm的垂直腔面发射激光器,最大直流光输出功率为3.2　mW,激射波长为978　nm,工作电流为15　mA.

关键词：

AlxGa1-xAs 垂直腔面发射激光器氧化

作者机构：

[ 1 ] [黄静]北京工业大学
[ 2 ] [郭霞]北京工业大学
[ 3 ] [渠红伟]北京工业大学
[ 4 ] [廉鹏]北京工业大学
[ 5 ] [董立闽]北京工业大学
[ 6 ] [朱文军]北京工业大学
[ 7 ] [杜金玉]北京工业大学
[ 8 ] [邹德恕]北京工业大学
[ 9 ] [沈光地]北京工业大学

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来源：

红外与激光工程

ISSN： 1007-2276

年份： 2003

期： 6

卷： 32

页码： 647-650

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