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[期刊论文]
Si/SiGe/Si HBT直流特性的可靠性
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对单台面SiGe HBT在E-B结反偏应力下直流特性的可靠性进行了研究.研究结果表明,随应力时间的增加,开启电压增加,直流电流增益下降,特别是在低E-B正偏电压时下降明显;而交流电流增益退化缓慢.
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来源 ：
微纳电子技术
ISSN： 1671-4776
年份： 2003
期： 10
卷： 40
页码： 17-19
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