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[期刊论文]
980nm半导体激光器远场特性的优化
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制作小功率半导体激光器时,为了减小阈值电流,提高斜率效率,一般都采用深腐蚀法形成脊形结构以克服电流横向扩展.但是由于工艺的原因,往往使得激光器远场特性恶化,特别是水平发散角θ//形成多瓣.研究发现这与光刻工艺有着重要关系,并利用自对准自然解理边形成TiAu欧姆接触方法克服了此现象,改善了远场特性.
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来源 ：
半导体光电
ISSN： 1001-5868
年份： 2002
期： 4
卷： 23
页码： 259-261
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