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高迁移率GaAs本征外延层的MOCVD生长
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通过优化生长条件,利用EMCORE D125 MOCVD外延系统,制备了高迁移率的GaAs外延层,其迁移率在室温下达到了8 879 cm2/V@s,在77 K温度下超过了130 000cm2/V@s.结果表明,衬底表面氧化是影响外延层迁移率的重要因素.
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来源 ：
半导体光电
ISSN： 1001-5868
年份： 2002
期： 6
卷： 23
页码： 412-414
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