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[期刊论文]
量子阱半导体激光器P-I特性曲线扭折的研究
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小功率窄条形半导体激光器注入电流超过阈值后,其P-I特性曲线可能偏离理想的线性区,出现扭折现象,从而会严重影响激光器与光纤的耦合.本文分析讨论了出现扭折现象与器件结构的关系.通过优化激光器纵向结构设计,采用较窄的有源区,在MOCVD结构生长中用碳作P型掺杂,制造出来的未镀膜激光器在100 mA注入电流下输出光功率50 mW 未出现P-I特性的扭折.
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来源 ：
光电子·激光
ISSN： 1005-0086
年份： 2002
期： 6
卷： 13
页码： 547-549
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