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摘要:

小功率窄条形半导体激光器注入电流超过阈值后,其P-I特性曲线可能偏离理想的线性区,出现扭折现象,从而会严重影响激光器与光纤的耦合.本文分析讨论了出现扭折现象与器件结构的关系.通过优化激光器纵向结构设计,采用较窄的有源区,在MOCVD结构生长中用碳作P型掺杂,制造出来的未镀膜激光器在100 mA注入电流下输出光功率50 mW 未出现P-I特性的扭折.

关键词:

P-I特性曲线 半导体激光器 扭折

作者机构:

  • [ 1 ] [邹德恕]北京工业大学
  • [ 2 ] [廉鹏]北京工业大学
  • [ 3 ] [徐晨]北京工业大学
  • [ 4 ] [崔碧峰]北京工业大学
  • [ 5 ] [杜金玉]北京工业大学
  • [ 6 ] [张丽]北京工业大学
  • [ 7 ] [刘莹]北京工业大学
  • [ 8 ] [李建军]北京工业大学
  • [ 9 ] [沈光地]北京工业大学

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来源 :

光电子·激光

ISSN: 1005-0086

年份: 2002

期: 6

卷: 13

页码: 547-549

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