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宋雪梅 (宋雪梅.) | 宋道颖 (宋道颖.) | 陈蔚忠 (陈蔚忠.) | 芦奇力 (芦奇力.) | 冯贞健 (冯贞健.) | 鲍旭红 (鲍旭红.) | 邓金祥 (邓金祥.) (学者:邓金祥) | 陈光华 (陈光华.)

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摘要:

应用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法,在较高速度下沉积了α-Si:H薄膜,用FTIR红外谱仪研究了α-Si:H薄膜的结构特性随H2/SiH4、沉积温度和沉积速率变化关系,并对2000cm-1附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分析,获得了沉积高质量α-Si:H薄膜的最佳工艺条件.

关键词:

IR分析 MWECR CVD α-Si:H薄膜 高斯函数拟合

作者机构:

  • [ 1 ] [宋雪梅]北京工业大学
  • [ 2 ] [宋道颖]北京工业大学
  • [ 3 ] [陈蔚忠]北京工业大学
  • [ 4 ] [芦奇力]北京工业大学
  • [ 5 ] [冯贞健]北京工业大学
  • [ 6 ] [鲍旭红]北京工业大学
  • [ 7 ] [邓金祥]北京工业大学
  • [ 8 ] [陈光华]北京工业大学

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来源 :

人工晶体学报

ISSN: 1000-985X

年份: 2002

期: 3

卷: 31

页码: 321-324

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