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郭伟玲 (郭伟玲.) | 廉鹏 (廉鹏.) | 丁颖 (丁颖.) | 李建军 (李建军.) | 崔碧峰 (崔碧峰.) | 刘莹 (刘莹.) | 邹德恕 (邹德恕.) | 沈光地 (沈光地.)

收录：

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摘要：

设计和制备了λ＝680nm的红色AlGaInP/GaInP应变量子阱激光器.　制得的未镀膜20μm脊型条形红色激光器的输出功率达到100mW,斜率效率0.56W/A,垂直和平行远场发散角分别为31°和9°.　未镀膜4m深腐蚀器件的功率可达10mW,　斜率效率为0.4W/A,峰值波长为681nm,峰值半宽为0.5nm.　不同腔长器件的特性显示器件的内损耗为4.27/cm,内量子效率达45%.　对不同腔长的器件进行了变温测试,得到器件的特征温度为120～190K.

关键词：

激光器 热特性 AlGaInP

作者机构：

  • [ 1 ] [郭伟玲]北京工业大学
  • [ 2 ] [廉鹏]北京工业大学
  • [ 3 ] [丁颖]北京工业大学
  • [ 4 ] [李建军]北京工业大学
  • [ 5 ] [崔碧峰]北京工业大学
  • [ 6 ] [刘莹]北京工业大学
  • [ 7 ] [邹德恕]北京工业大学
  • [ 8 ] [沈光地]北京工业大学

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来源 ：

北京工业大学学报

ISSN： 0254-0037

年份： 2002

期： 4

卷： 28

页码： 423-425

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