为了定量地得到磁场梯度对a　Si∶H薄膜沉积速率的影响　,对单磁场线圈分散场MWECRCVD系统等离子体室和沉积室中用三种方法得到的磁场形貌进行了研究　.通过洛伦兹拟合的方法定量地得到了这些磁场形貌的磁场梯度　.结果表明　,样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为　137　7A时其衬底附近磁场梯度值最大　,样品台下面无钐钴永磁时　,磁场线圈电流分别为　137　7A和　115　　2A的磁场梯度值依次为次之和最小　.制备a　Si∶H薄膜时　,在衬底附近具有高的磁场梯度值可以得到高的沉积速率　.通过红外吸收谱技术分析　,虽然样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为　137　7A下能得到最大的沉积...