为研制和开发一种理想的阴极材料,替代现有的应用于磁控管的Ba-W阴极和Th-W阴极,用粉末冶金方法制备了掺杂不同比例的一元、二元稀土氧化物的钼基体阴极材料,测试了各种材料的次级发射系数.　结果表明,掺杂后的阴极材料的次级发射性能大大提高,　掺杂复合稀土氧化物的次级发射体的发射性能优于掺杂单元稀土氧化物的次级发射体的发射性能.　同时,应用扫描电镜(SEM)和俄歇电子能谱仪(AES)研究了稀土元素在钼烧结体断口和表面的分布.　分析结果表明,稀土元素易于在晶界处偏聚,且稀土元素在试样表面的质量分数明显高于其在基体内部的质量分数.