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姚振宇 (姚振宇.) | 严辉 (严辉.) | 谭利文 (谭利文.) | 韩华 (韩华.)

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摘要:

采用分步偏压辅助射频溅射法在316L不锈钢表面制备SiC薄膜,作为聚变堆第一壁及包层结构材料的氚渗透阻挡层.扫描电镜观察表明,制备的膜致密、均匀,且与基体结合牢固.X射线衍射分析表明,膜具有(111)面择优取向的β-SiC微晶结构.傅里叶变换红外光谱分析发现,对应于β-SiC的Si-C键存在伸缩振动吸收峰.采用中间复合过渡层技术,可以提高SiC膜与不锈钢基体的结合强度.测量了500℃时带有SiC膜的316L不锈钢的氚渗透率,与表面镀钯膜的316L相比,氚渗透率减低因子(PRF)值达到104以上.溅射时衬底偏压和射频功率要影响膜的结构,从而影响PRF值.根据分析结果,从不同的膜制备工艺中初步筛选出了合适工艺.

关键词:

射频溅射 氚渗透阻挡层 碳化硅膜

作者机构:

  • [ 1 ] [姚振宇]中国原子能科学研究院
  • [ 2 ] [严辉]北京工业大学
  • [ 3 ] [谭利文]北京工业大学
  • [ 4 ] [韩华]中国原子能科学研究院

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来源 :

核聚变与等离子体物理

ISSN: 0254-6086

年份: 2002

期: 2

卷: 22

页码: 65-70

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