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王哲 (王哲.) | 程序 (程序.) | 亢宝位 (亢宝位.) | 吴郁 (吴郁.) | 王玉琦 (王玉琦.)

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摘要:

为克服目前隔离结构平坦化技术在工艺控制、平坦化质量等方面存在的问题,提出了一种新的隔离结构表面平坦化工艺,即利用稠光刻胶做掩膜,结合反应离子刻蚀技术与湿法腐蚀技术,实现不同厚度隔离结构的平坦化.结果表明隔离结构边缘陡峭,硅表面平坦均匀.

关键词:

反应离子刻蚀 表面平坦化 隔离结构

作者机构:

  • [ 1 ] [王哲]北京工业大学
  • [ 2 ] [程序]北京工业大学
  • [ 3 ] [亢宝位]北京工业大学
  • [ 4 ] [吴郁]北京工业大学
  • [ 5 ] [王玉琦]香港科技大学

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来源 :

半导体技术

ISSN: 1003-353X

年份: 2002

期: 7

卷: 27

页码: 26-28

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