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氢氧化镍电极材料的层错结构表征
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根据氢氧化镍电极材料的X射线衍射谱线的各向异性宽化特性, 提出层错结构表征方法. 采用层错宽化效应的Warren法和Lan gford谱分解法, 测算了一些镍电极材料的层错率. 结果发现层错率与材料的放电容量存在对应关系, 放电容量较高(270 mA*h/g)的材料层错率达14.9%, 而放电容量较低(207 mA*h/g)的材料层错率为7.6%.因此可以用层错率表征氢氧化镍电极材料的电化学性能.
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来源 ：
中国有色金属学报
ISSN： 1004-0609
年份： 2002
期： 3
卷： 12
页码： 496-500
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