We　have　prepared　hydrogenated　nano-amorph　silicon　(na-Si:H)　films　by　using　a　hot-wire-assisted　microwave　electron-cyclotron-resonance　(HW-MWECR)　chemical　vapour　deposition　(CVD)　system.　The　films　are　deposited　in　two　steps:　in　the　first　9　min,　a　hydrogenated　amorphous　silicon　layer　is　deposited　by　using　hydrogen-diluted　silane　with　a　concentration　of　SiH4/(SiH4　+　H-2)　=　20%,　and　then　a　nanocrystalline　silicon　(nc-Si)　layer　is　deposited　by　using　various　highly　hydrogen-diluted　silane.　The　Raman　TO-like　mode　peak　of　the　films　was　found　in　the　range　497-508　cm(-1).　When　the　silane　concentration　used　for　preparation　of　the　nc-Si　layer　is　14.3%,　the　film　has　a　large　crystalline　volume　fraction　of　65.4%,　a　wide　optical　band　gap　of　1.89eV　and　a　low　hydrogen　content　of　9.5　at.%.　Moreover,　the　na-Si:H　films　rather　than　nc-Si　possess　high　photosensitivity　of　about　10(5).