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摘要：
较系统地研究了不同衬底材料对制备立方氮化硼薄膜的影响.用热丝增强射频等离子体CVD法，以NH3，B2H6和H2为反应气体，在Si,Ni,Co和不锈钢等衬底材料上，成功生长出高质量的立方氮化硼薄膜.还用13.56MHz的射频溅射系统将c-BN薄膜沉积在Si衬底上，靶材为h-BN(纯度99.99%)，溅射气体为氩气和氮气的混合气体，所得到的氮化硼薄膜中立方相含量高于90%.用X射线衍射谱和傅里叶变换红外谱对样品进行的分析表明，衬底材料与c-BN的晶格匹配情况，对于CVD生长立方氮化硼薄膜影响很大，而对溅射生长立方氮化硼薄膜影响不大.
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