在高温和大栅电流下，对TiAl栅和TiPtAu栅MESFET的稳定性进行了比较研究，结果表明：(1)两种器件的击穿电压稳定，栅Schottky接触二极管理想因子n变化不明显；(2)TiAl栅的MESFET的栅特性参数(栅电阻Rg，势垒高度Φb)变化明显，与沟道特性相关的器件参数(如最大饱和漏电流Idss，栅下沟道开路电阻R0，夹断电压Vp0等)保持相对不变；(3)对TiPtAu栅MESFET来说，栅Schottky二极管特性(栅电阻Rg，势垒高度Φb)保持相对稳定，与沟道特性相关的器件参数(如最大饱和漏电流Idss，栅下沟道开路电阻R0，夹断电压Vp0、跨导gm等)明显变化，适当退火后，有稳定的趋势。这两种器件的参数变化形成了鲜明的对比。