高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[期刊论文]
低功耗IGBT(LPL-IGBT)及其仿真
作者：
收录：
摘要：
提出了一种新结构的IGBT,取名为低功耗IGBT(LPL-IGBT),它具有离子注入形成的超薄且轻掺杂的背P型发射区,从而具有NPT-IGBT的优点;同时具有由衬底预扩散残留层构成的n型缓冲层,又具有PT-IGBT的优点.计算机仿真结果证明,它的关断损耗比PT-IGBT和NPT-IGBT降低一倍左右.它的结构比FSIGBT更适合于实际生产.
关键词：
作者机构：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
2008，中国集成电路
2008，半导体学报
2007，电力电子
2003，半导体学报
来源 ：
半导体学报
ISSN： 0253-4177
年份： 2001
期： 12
卷： 22
页码： 1565-1571
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次： 26
中文被引频次：
近30日浏览量： 4
归属院系：
全文获取
外部链接：
