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低压金属有机化合物气相外延生长的（AlxGa1－x）0.51In0.49P折射率测量
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采用测量反射谱方法确定了低压金属有机化合物气相外延生长的与GaAs衬底匹配（AlxGa1－x）0.51In0.49P外延材料的折射率．实验中测量的反射谱波长范围为0.5—2.5μm．在拟合实验数据过程中采用了单振子模型．折射率数据用于分析应变量子阱GaInP／AlGaInP可见光激光二极管波导，计算出的器件远场图与实验数据吻合很好．
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2001，半导体学报
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来源 ：
半导体学报
ISSN： 0253-4177
年份： 2001
期： 4
卷： 22
页码： 398-401
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