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沉积温度对BC2N薄膜的生长和附着性的影响
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应用热丝辅助射频等离子体化学气相沉积法在硅、金刚石衬底上合成了BC2N薄膜.X-射线衍射、红外谱分析表明较高的温度有利于BC2N化合物的成核和生长.高温制备的薄膜的化学组分主要为BC2N,B,C和N原子间互相结合成键,但与硅衬底的附着力很差.选择热膨胀系数与硅接近的金刚石作为过渡层沉积BC2N多层膜时,逐层提高生长温度,不仅提高了薄膜中BC2N的含量,而且提高了薄膜与衬底的粘附力.
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来源 ：
兰州大学学报(自然科学版)
ISSN： 0455-2059
年份： 2001
期： 5
卷： 37
页码： 23-29
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