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[期刊论文]

GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料

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Author：

邹德恕 (邹德恕.) | 徐晨 (徐晨.) (Scholars：徐晨) | 陈建新 (陈建新.) | Unfold

Indexed by：

CQVIP PKU CSCD

Abstract：

用GSMBE法生长了Si/SiGe/Si异质结构材料．采用双台面结构制造了SiGe/Si　NPN异质结晶体管．在发射结条宽为4μm,面积为4μm×18μm的条件下，其共发射极直流放大倍数为75，截止频率为20GHz．给出了结构设计、材料生长和器件制作工艺．

Keyword：

气态源分子束外延 双台面结构 Si/SiGe HBT

Author Community：

  • [ 1 ] [邹德恕]北京工业大学
  • [ 2 ] [徐晨]北京工业大学
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  • [ 7 ] [沈光地]北京工业大学
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  • [ 10 ] [林兰英]中国科学院半导体研究所

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Source ：

半导体学报

ISSN： 0253-4177

Year： 2001

Issue： 8

Volume： 22

Page： 1035-1037

Cited Count：

WoS CC Cited Count： 0

WanFang Cited Count： 3

30 Days PV： 2

Affiliated Colleges：

信息学部

经济与管理学院

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