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GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料
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用GSMBE法生长了Si/SiGe/Si异质结构材料．采用双台面结构制造了SiGe/Si NPN异质结晶体管．在发射结条宽为4μm,面积为4μm×18μm的条件下，其共发射极直流放大倍数为75，截止频率为20GHz．给出了结构设计、材料生长和器件制作工艺．
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来源 ：
半导体学报
ISSN： 0253-4177
年份： 2001
期： 8
卷： 22
页码： 1035-1037
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