高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[期刊论文]
热退火对射频反应溅射氮化铝薄膜场电子发射的影响
作者：
收录：
摘要：
以氮气为反应气体,用射频反应溅射方法制备了AlN薄膜,结合XPS和XRD表征考察了热退火后处理对样品场电子发射性能的影响.实验表明,热退火是改善样品场发射稳定性的有效途径,样品经700C退火后,发射电流的涨落从未退火前的135μA下降到20μA;并且发射的开启电压、发射电流的涨落和滞后等对退火温度表现出强烈的依赖性.文中认为,退火处理造成了薄膜结构的变化,引起表面电子亲和势特性以及电导特性的改变,进而影响了其发射特性.
关键词：
作者机构：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
1999，半导体学报
1999，功能材料
2004，半导体学报
2008，微细加工技术
来源 ：
无机材料学报
ISSN： 1000-324X
年份： 2001
期： 5
卷： 16
页码： 1015-1018
1 . 7 0 0
JCR@2022
ESI学科： MATERIALS SCIENCE;
JCR分区：4
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次： 16
中文被引频次：
近30日浏览量： 3
归属院系：
全文获取
外部链接：
