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离子轰击增强金刚石膜与Si衬底结合力的进一步研究(英文)
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由于金刚石与Si有较大的表面能差 ,利用化学气相沉积 (CVD)制备金刚石膜时 ,金刚石在镜面光滑的Si表面上成核困难 ,而负衬底偏压能够增强金刚石在镜面光滑Si表面上的成核 ,表明金刚石核与Si表面的结合力也得到增强。本文分析衬底负偏压引起的离子轰击对Si表面产生的影响之后 ,基于离子轰击使得Si衬底表面产生了微缺陷 (凹坑 )增大了金刚石膜与Si衬底结合的面积 ,理论研究了离子轰击对金刚石膜与Si衬底结合力的影响。
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来源 ：
人工晶体学报
年份： 2004
期： 04
页码： 679-682
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