高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[期刊论文]
基区不均匀重掺杂对Si/SiGe/Si HBT基区渡越时间的影响
作者：
收录：
摘要：
由于发射结(EB结)价带存在着能量差ΔEv,电流增益β不再主要由发射区和基区杂质浓度比来决定,给HBT设计带来了更大的自由度.为减小基区电阻和防止低温载流子冻析,可增加基区浓度.但基区重掺杂导致禁带变窄,禁带变窄的非均匀性产生的阻滞电场使基区渡越时间增加,退化了频率特性,特别是在低温下更为严重.
关键词：
作者机构：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
2006，微电子学
来源 ：
微电子学
ISSN： 1004-3365
年份： 2000
期： 1
卷： 30
页码： 5-7
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次： 4
中文被引频次：
近30日浏览量： 1
归属院系：
全文获取
外部链接：
