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基区不均匀重掺杂对Si/SiGe/Si HBT基区渡越时间的影响
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由于发射结(EB结)价带存在着能量差ΔEv,电流增益β不再主要由发射区和基区杂质浓度比来决定,给HBT设计带来了更大的自由度.为减小基区电阻和防止低温载流子冻析,可增加基区浓度.但基区重掺杂导致禁带变窄,禁带变窄的非均匀性产生的阻滞电场使基区渡越时间增加,退化了频率特性,特别是在低温下更为严重.
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来源 ：
微电子学
ISSN： 1004-3365
年份： 2000
期： 1
卷： 30
页码： 5-7
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