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SiGe/Si HBT发射结的寄生势垒及其对器件室温和低温特性的影响
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研究了SiGe/Si HBT基区B杂质的偏析和外扩散对器件的影响.发现用MBE生长的SiGe基区中,在材料生长时B杂质的上述行为会严重破坏器件的室温电流增益并改变器件的低温性能.采用数值计算分析了B杂质的上述行为与在发射结产生的寄生势垒的关系,解释了器件温度特性的实验结果.并根据计算模拟和实验,讨论了SiGe隔离层的作用和优化的厚度.
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英文标题
Parasitic Barrier in Emitter-Base Junction and Its Effects on Performance of SiGe/Si HBT at Both Room Temperature and Low Temperature
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分类号
TN325+3
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项目编号
获取号
WF:perioarticalbdtxb200012012
语言
中文
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来源 ：
半导体学报
ISSN： 0253-4177
年份： 2000
期： 12
卷： 21
页码： 1208-1213
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