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摘要:

通过x射线双晶衍射图形讨论了SiGe/Si HBT的电学特性与晶格结构的关系.

关键词:

SiGe/Si x射线双晶衍射 光程差 弛豫

作者机构:

  • [ 1 ] [邹德恕]北京工业大学
  • [ 2 ] [徐晨]北京工业大学
  • [ 3 ] [罗辑]北京工业大学
  • [ 4 ] [魏欢]北京工业大学
  • [ 5 ] [董欣]北京工业大学
  • [ 6 ] [周静]北京工业大学
  • [ 7 ] [杜金玉]北京工业大学
  • [ 8 ] [高国]北京工业大学
  • [ 9 ] [陈建新]北京工业大学
  • [ 10 ] [沈光地]北京工业大学
  • [ 11 ] [王玉田]中国科学院半导体研究所

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来源 :

半导体技术

ISSN: 1003-353X

年份: 2000

期: 1

卷: 25

页码: 36-38

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