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具有TiN扩散阻挡层的n-GaAs欧姆接触的可靠性
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提出了金属-半导体欧姆接触退化的快速评估方法--温度斜坡快速评价法,并建立了自动评估系统,用该方法和系统测得的欧姆接触退化激活能,和传统方法相比,耗时少,所需样品少,所得结果和传统方法一致.针对传统AuGeNi/Au欧姆接触系统的缺点,提出了加TiN扩散阻挡层的新型欧姆接触系统.实验表明新型欧姆接触系统的可靠性远远优于传统AuGeNi/Au欧姆接触系统.
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来源 ：
半导体学报
ISSN： 0253-4177
年份： 2000
期： 6
卷： 21
页码： 608-613
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