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张万荣 (张万荣.) | 高玉珍 (高玉珍.) | 李志国 (李志国.) | 程尧海 (程尧海.) | 孙英华 (孙英华.) | 陈建新 (陈建新.) | 沈光地 (沈光地.) | 穆杰 (穆杰.)

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PKU CSCD

摘要:

研究了高温和大电流应力对TiAl/GaAs和TiPtAu/GaAs Schottky二极管I~V特性及对Richardson图的影响.研究发现,随着应力时间的增加,在Richardson图上,对TiAl/GaAs Schottky二极管势垒高度快速降低,Richardson常数和二极管的面积之积SA*也快速减少,而TiPtAu/GaAs Schotaky二极管势垒高度和SA*先快速增加,后趋于稳定常数.在I~V曲线上,TiAl/GaAs Schottky二极管反向饱和电流增加,TiPtAu/GaAs Schottky二极管反向饱和电流先快速减少,后趋于常数.这是由于在金属/GaAs界面形成了金属间化合物的结果.

关键词:

Richardson图 Schottky二极管 势垒

作者机构:

  • [ 1 ] [张万荣]北京工业大学
  • [ 2 ] [高玉珍]北京工业大学
  • [ 3 ] [李志国]北京工业大学
  • [ 4 ] [程尧海]北京工业大学
  • [ 5 ] [孙英华]北京工业大学
  • [ 6 ] [陈建新]北京工业大学
  • [ 7 ] [沈光地]北京工业大学
  • [ 8 ] [穆杰]国家信息产业部河北半导体研究所

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来源 :

北京工业大学学报

ISSN: 0254-0037

年份: 2000

期: 2

卷: 26

页码: 1-4

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