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针对大功率半导体激光器面临的主要困难,提出并实现了一种隧道再生多有源区耦合大光腔高效大功率半导体激光器机理.该机理能有效地解决光功率密度过高引起的端面灾变性毁坏、热烧毁和光束质量差等大功率激光器存在的主要问题.采用低压金属有机化合物气相淀积方法生长了以碳和硅作为掺杂剂的GaAs隧道结、GaAs/InGaAs 应变量子阱有源区和新型多有源区半导体激光器外延结构,并制备了高性能大功率980nm激光器件.三有源区激光器外微分量子效率达2.2,2A驱动电流下单面未镀膜激光输出功率高达2.5W.
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