We　report　the　technique　of　the　ion-implanted　semi-insulating　GaAs　wafer　used　for　passive　Q-switched　mode　locking　in　double-cladding　Yb:fiber　laser.　The　wafer　was　implanted　with　400-keV　energy,　10(16)/cm(2)　dose　As+　ions,　and　was　annealed　at　600degreesC　for　20　min.　At　the　pump　power　of　5W,　we　achieved　output　power　of　200mW.　The　repetition　rate　of　envelope　of　Q-switched　mode　locking　is　50-kHz　with　a　FWHM　envelope　of　4mus.　The　repetition　rate　of　mode　locked　pulse　train　was　found　to　be　15-MHz.　This　is　the　first　report　of　such　a　kind　of　laser　to　the　best　of　our　knowledge.