Er　photoluminescence　(Er　PL)　and　dangling　bonds　(DBs)　of　annealed　Er-doped　hydrogenated　amorphous　silicon　nitride　(a-SiN:H(Er))　with　various　concentrations　of　nitrogen　are　studied　in　the　temperature　range　62-300　K.　Post-annealing　process　is　employed　to　change　the　DBs　density　of　a-SiN:H(Er).　PL　spectra,　DBs　density　and　H,　N　concentrations　are　measured.　The　intensity　of　Er　PL　displays　complicated　relation　with　Si　DBs　density　within　the　annealing　temperature　range　200-500　degreesC.　The　intensity　of　Er　PL　first　increases　with　decreasing　density　of　Si　dangling　bonds　owing　to　the　structural　relaxation　up　to　250　degreesC,　and　continues　to　increase　up　to　350　degreesC　even　though　the　density　of　Si　DBs　increases　due　to　the　improvement　of　symmetry　environment　of　Er3+.　(C)　2003　Elsevier　B.V.　All　rights　reserved.