报道了通过隧道结将衬底的导电类型从　n型转变到　p型　,从而可以利用　n型　Ga　P作为以　n型　Ga　As为衬底的　Al　Ga　In　P发光二极管的电流扩展层　.n型电流扩展层的电阻率低于　p型电流扩展层的电阻率　,这种结构改善了电流扩展层的作用　,从而提高了发光二极管的光提取效率　.对　3μm　Ga　P电流扩展层的发光二极管　,实验结果表明　,隧道结发光二极管的发光功率与具有相同基本结构的传统发光二极管相比　,2　0　m　A时发光功率提高了　5　0　%　,10　0　m　A时提高了　6　6　.7%