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[期刊论文]
SiGe/Si HBT及其单片微波集成电路的研究
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SiGe／SiHBT作为单片微波集成电路中的有源元件，在截止频率、增益、噪声等方面相对于GaAs器件有很大的优势。本文结合本单位在SiGe材料和器件、电路等方面做过的工作，对实现SiGe单片微波集成电路的一些理论和技术要点作了阐述。
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来源 ：
半导体技术
年份： 2000
期： 04
页码： 31-35
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信息学部 电子科学与技术学院（微电子学院）
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