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[期刊论文]
SiGe/Si HBT及其单片微波集成电路的研究
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SiGe／SiHBT作为单片微波集成电路中的有源元件，在截止频率、增益、噪声等方面相对于GaAs器件有很大的优势。本文结合本单位在SiGe材料和器件、电路等方面做过的工作，对实现SiGe单片微波集成电路的一些理论和技术要点作了阐述。
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CNKI:BDTJ200004013
Language
Chinese
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2002，微波学报
1996，北京工业大学学报
2017，
Source ：
半导体技术
Year： 2000
Issue： 04
Page： 31-35
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 4
Affiliated Colleges：
信息学部
信息学部 电子科学与技术学院（微电子学院）
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