高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[期刊论文]
CVD法沉积金刚石薄膜中成核与生长的势垒研究(英文)
作者：
收录：
摘要：
探明成核与生长的机理对于沉积高质量金刚石薄膜是十分重要的。本文采用PM3方法 ,计算了化学汽相沉积金刚石薄膜成核与生长阶段反应势垒。研究了对于不同反应气体 (甲烷和乙炔 )脱氢和增加沉积基团势垒的差异。结果说明 ,无论是成核阶段 ,还是生长阶段 ,脱氢势垒都小于加生长基团的势垒。然而 ,增加乙炔基的势垒大于增加甲基的势垒 ,这可能是因为乙炔分子必须打开C ≡C键才能沉积到衬底表面。
关键词：
作者机构：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
2000，人工晶体学报
1999，半导体学报
来源 ：
人工晶体学报
年份： 2000
期： 03
页码： 280-284
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次：
中文被引频次：
近30日浏览量： 3
归属院系：
材料与制造学部 本学院/部未明确归属的数据
材料与制造学部 材料科学与工程学院
全文获取
外部链接：
