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CVD法沉积金刚石薄膜中成核与生长的势垒研究(英文)
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探明成核与生长的机理对于沉积高质量金刚石薄膜是十分重要的。本文采用PM3方法 ,计算了化学汽相沉积金刚石薄膜成核与生长阶段反应势垒。研究了对于不同反应气体 (甲烷和乙炔 )脱氢和增加沉积基团势垒的差异。结果说明 ,无论是成核阶段 ,还是生长阶段 ,脱氢势垒都小于加生长基团的势垒。然而 ,增加乙炔基的势垒大于增加甲基的势垒 ,这可能是因为乙炔分子必须打开C ≡C键才能沉积到衬底表面。
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来源 ：
人工晶体学报
年份： 2000
期： 03
页码： 280-284
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