采用热丝辅助射频等离子体增强化学气相沉积　(CVD)方法直接在Si(10　0　)衬底上制备了多晶C3N4　薄膜。X射线衍射　(XRD)测试表明薄膜同时含有α　C3N4　和　β　C3N4　晶相以及未知结构。傅立叶变换红外吸收谱　(FTIR)表明薄膜内的C—N　,CN和CN键的吸收峰分别位于　12　37,16　2　5和2　191cm-　1。利用扫描电子显微镜　(SEM)观测到线度约为　2　μm、横截面为六边形的　β　C3N4　晶粒。纳米压痕法测得薄膜的硬度最高可达　72　.6　6GPa。