采用高温溶液法生长了掺质Ge4+含量不同的Ge　:KTP系列晶体。研究了掺质Ge4+离子对KTP溶液性质的影响　,发现掺质溶液体系更加稳定　,易于生长出光学质量的单晶。用等离子体发射光谱测定了Ge4+离子在晶体中的含量　,并计算出Ge4+离子在晶体中的分配系数　,表明了Ge4+离子较容易进入晶格格位。测定的Ge　:KTP晶体的晶胞体积小于纯KTP晶体。测定的光透过曲线与纯KTP晶体的相似　,Ge　:KTP晶体仍保持了较高的光透过率与较宽的透光波段。Ge　:KTP晶体的Raman谱与纯KTP晶体的相比有所不同　,表明Ge4+取代了KTP晶格中P5　+的位置　,形成了GeO4四面体。激光粉末倍频效...