采用水溶液缓慢降温生长了一系列双有机取代基TGS晶体。系统地研究了此一系列晶体的生长形态　,并分别与纯TGS的作了对比。测定了所生长晶体的单位晶胞参数、热释电性能参数　(热释电系数、介电常数、介电损耗、居里温度、自发极化强度及品质因子等　)、电滞回线和内偏压场。实验结果发现　:双有机取代基均成功地进入了晶体。晶体的生长形态、热释电性能、铁电性能均随双有机取代基种类以及浓度的变化而发生变化。探讨了双有机取代基对晶体生长形态、晶体热释电和铁电性能的影响机制　,提出了掺质分子本身的特性和掺质中的功能基团是影响TGS晶体生长形态与性能的两大主要因素。晶体性能测试结果表明　,多种双有机取代基TGS系列晶...