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基区复合对nSi/pSi_(1-x)Ge_x/nSi晶体管共射极电流增益的影响
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采用二维数值模拟方法详细分析了基区复合电流对 n Si/p Si1- x Gex/n Si应变基区异质结双极晶体管 ( HBT)共射极电流放大系数 β的影响 ,给出了 Si1- x Gex HBT的 Gummel图、平衡能带图 .得出在靠近发射结附近基区的复合电流是引起 β下降的主要因素 ,并给出了减小基区复合电流的 Ge分布形式 .
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来源 ：
半导体学报
年份： 1999
期： 03
页码： 188-193
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信息学部 电子科学与技术学院（微电子学院）
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