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MBE生长高光功率转换效率InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器
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本文从理论上分析了实现 In Ga As/Ga As/Al Ga As应变量子阱激光器高光功率转换效率、高输出功率的有效途径 ,并优化了器件结构 ,可以同时获得低的腔面光功率密度和小的垂直于结平面远场发散角 .利用分子束外延生长构成了高质量 In Ga As/Ga As/Al Ga As应变量子阱激光器 ,其最高光功率转换效率为 53%、最大输出功率为 3.7W,垂直于结平面方向远场发散角为 30°
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来源 ：
半导体学报
年份： 1999
期： 03
页码： 194-199
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信息学部 电子科学与技术学院（微电子学院）
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