高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[期刊论文]
InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器
作者：
收录：
摘要：
优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角，又能降低腔面光功率密度的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变层量子阱激光器，并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊形波导结构参数。利用分子束外延生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变量子阱激光器材料并研制出基横模输出功率大于１４０ｍＷ，激射波长为９８０ｎｍ的脊形波导应变量子阱激光器，其微分量子效率为０．８Ｗ／Ａ，垂直和平行结平面方向远场发散角分别为２８°和６．８°
关键词：
作者机构：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
1997，半导体学报
2018，红外与激光工程
2006，中国材料科技与设备
1994，光电子.激光
来源 ：
中国激光
年份： 1999
期： 05
页码： 3-5
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次：
中文被引频次：
近30日浏览量： 2
归属院系：
信息学部 电子科学与技术学院（微电子学院）
全文获取
外部链接：
