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InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器
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优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角，又能降低腔面光功率密度的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变层量子阱激光器，并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊形波导结构参数。利用分子束外延生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变量子阱激光器材料并研制出基横模输出功率大于１４０ｍＷ，激射波长为９８０ｎｍ的脊形波导应变量子阱激光器，其微分量子效率为０．８Ｗ／Ａ，垂直和平行结平面方向远场发散角分别为２８°和６．８°
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来源 ：
中国激光
年份： 1999
期： 05
页码： 3-5
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信息学部 电子科学与技术学院（微电子学院）
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