本工作中,通过wxAMPS模拟了CIGS太阳电池中施主缺陷钝化的影响。近界面面浅施主和体施主缺陷的缺陷态密度和位置分布对太阳电池特性的变化被研究。结果　表明,高的界面浅施主缺陷态密度的减少了开路电压,与之相反,低的近界面缺陷态密度有着更高的开路电压和短路电流密度。然而其很容易导致CdS带阶增加,增加载流子的复合,从而引起填充因子的下降。对于在吸收层中体施主缺陷的钝化,CIGS电池的特性更依赖于缺陷态密度在位置的分布。其中,在空间电荷区内缺陷态密度的减少有利于改善开路电压,在电学中性区域态密度的减少有利于提升电流。随着体施主缺陷态密度的减少,由于受到受主浓度的限制,转换效率将会达到饱和。分别由CdS到Mo衬底以及Mo衬底到CdS的方向改变缺陷态密度,电池的转换效率可以得到(图1),由空间电荷区向电中性区域的过渡区域在整个效率的变化过程中十分的关键。