基于电阻转变效应的电阻随机存储器(RRAM)具有操作速度快、存储密度高和功率消耗低等优点，因此被认为最有希望成为下一代非挥发性存储器.为了能应用到透明柔性电子学中，在低温(≤　200℃)下制备RRAM器件成为当前的一个研究热点.BiFeO3(BFO)是目前唯一一种室温下的多铁性材料，同时具有铁电性(Tc～1103K)和反铁磁性(TN～643K).近年来，许多研究小组报道了外延BFO薄膜和多晶BFO薄膜的电阻转变效应.但是，关于非晶态BFO薄膜的电阻转变效应研究报道却很少.本文在室温下采用射频磁控溅射法在ITO导电玻璃上获得了非晶态BFO薄膜，并对其电阻转变效应进行了研究.