本文提出了一种新型场终止IGBT结构——线性掺杂场终止型IGBT(Line　Doping　Field　Stop-LDFS)。与传统FS-IGBT的突变掺杂的场终止结构不同，本文提出的LDFS-IGBT具有20-30μm宽,峰值浓度为3.5e15的缓变线性掺杂场终止层。采用仿真工具ISE-TCAD,对600V20A的FS-IGBT与LDFS-IGBT的导通特性、开关特性进行仿真研究。结果表明LDFS-IGBT具有更低的的通态压降,同时保证良好的关断电压波形以及关断损耗.最后文章提出了一种实现缓变线性掺杂场终止结构的制造新技术。