载流子存储层(Carrier　Stored　Layer-CSL)可以改善IGBT导通态载流子分布,降低通态电压,但影响器件阻断能力.本文在CSL层下方近哑元胞侧设计了P型埋层(P　Buried　Layer-PBL),利用电荷平衡的理念改善电场分布,并借助ISE-TACD仿真工具,依托内透明集电极(ITC)技术,仿真研究600V槽栅CSL-PBL-ITC-IGBT电特性,分析CSL和PBL的尺寸及掺杂浓度、哑元胞(Dummy)尺寸等对器件特性的影响,并与普通的槽栅ITC-IGBT、点注入局部窄台面(PNM)ITC-IGBT的技术指标进行对比,结果表明CSL-PBL-ITC-IGBT具有更优的技术折中曲线.