高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[会议论文]
功率快恢复二极管反偏ESD与雪崩耐量测试仿真对比
作者：
摘要：
功率半导体器件静电放电及雪崩耐量对器件性能及坚固性的影响在应用中至关重要.采用简明分段线性电流源,分别对功率快恢复二极管反偏ESD过程及雪崩耐量进行仿真计算,分析讨论二者的共性和差异.结果表明,器件外端电压波形均经历过冲、负阻及振荡、平缓发展三个阶段,差别在于反偏ESD造成的电压过冲更明显,且出现典型的U型电场分布,与雪崩耐量相比对器件造成的影响更剧烈.最后,考察了器件结构参数抗ESD能力和雪崩耐量的影响.
关键词：
作者机构：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
2015，半导体技术
2014，中国电工技术学会电力电子学会第十四届学术年会
2009，
2018，北京工业大学学报
来源 ：
年份： 2014
页码： 588-591
语种： 中文
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次： -1
中文被引频次：
近30日浏览量： 4
归属院系：
全文获取
外部链接：
