近年来,基于电阻转变效应的电阻随机存取存储器(RRAM)成为了研究热点　[1].多铁性BiFeO3　薄膜也表现出了电阻转变效应　[2],这为其实际应用提供了新的方向.为了研究A　位Ba掺杂对电阻转变效应的影响,采用脉冲激光沉积法(PLD)在导电的SrTi0.99Nb0.01O3(100)单晶衬底上制备了Bi1-xBaxFeO3(x　=　0,0.1,0.2)薄膜.X　射线衍射结果表明：薄膜均无明显的杂相,且沿(100)方向取向生长.电流-　电压(I-V)测试结果显示：所有样品都表现出不同程度的滞后现象,且随着Ba　掺杂量的增加,滞后现象越来越显著.此外还发现,随着Ba　掺杂量的增加,样品的电阻开关比和保持特性都有所提高.以上实验结果说明：Ba　掺杂有助于提高BiFeO3　薄膜的电阻转变效应,其原因可能是Ba2+　取代A　位的Bi3+　会在BiFeO3　薄膜中引入更多地氧空位.因此,Ba　掺杂BiFeO3　薄膜可作为下一代非挥发性存储器——电阻随机存储器(RRAM)的候选材料之一.