动态雪崩问题是影响高压快恢复二极管(fast　recovery　diode,FRD)坚固性的一个主要因素.结合现有国内工艺平台,设计了一个具有场屏蔽阳极(field　shield　anode,FSA)结构的3.3kV功率快恢复二极管.仿真分析表明,与常规结构相比,其具有快恢复与低漏电流特性,且在抗动态雪崩方面具有更大的潜力.针对二极管有源区与结终端连接处电流较易集中的弱点,本文提出一个利用FSA结构中低掺杂阳极缓冲层在有源区与结终端之间加入一个电阻连接区(简称电阻区)的解决方案.对不同结构参数的四种方案进行热电仿真对比,最终获得了一个合理的电阻区结构,它具有足够强的抗动态雪崩能力,能够满足3.3kV功率FRD在苛刻测试条件下抗烧毁的坚固性需求.