摘要：
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在湿法腐蚀后的Si(100)衬底上成功制备出了Y2O3：Bi,Yb减反转光薄膜.所制备的薄膜在300-800nm 可见光波长范围内的平均反射率普遍低于12％,相较裸硅的平均反射率47.8％显著降低,同时所制备薄膜在晶体硅太阳能电池最佳响应范围980nm 实现了良好下转光特性.研究表明,具有减反结构的Y2O3：Bi,Yb 下转光薄膜相较之前所做的非减反下转光薄膜,其转光强度有了明显地提升.进一步分析了基底腐蚀深度对发光性能的影响规律,发现随着基底腐蚀深度在一定范围内的增加,薄膜在980nm 处的下转换发光强度也随之增强.本工作所制备的减反转光薄膜将为转光薄膜在太阳能电池效率增强方面的应用提供一种简单可行的方法.
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